全國服務熱線: 400-889-8821

1

愛浦電子_專業研發、生產、銷售1-700W模塊電源生產廠家!

簡體中文
簡體中文

新聞資訊

——

 

企業動態

行業動態

聯系我們

——

 

聯系方式

在線留言

樣品申請

——

 

快速申請

產品選型

招賢納士

——

 

人才招聘

 

數據統計:

?2019 廣州市愛浦電子科技有限公司版權所有   粵ICP備12004597號   網站建設:中企動力廣州 

友情鏈接:容亮電子

>
>
>
一步步優化反 激設計(下)

技術中心

Technology

一步步優化反 激設計(下)

分類:
電源技術
作者:
廣州市愛浦電子科技有限公司
來源:
原創
發布時間:
2020/03/19
瀏覽量
擇功率開關MOSFET,并計算其損耗:
MOSFET的選擇基于最大應力電壓、最大峰值輸入電流、總功率損耗、最大允許工作溫度,以及驅動器的電流驅動能力。
MOSFET的源漏擊穿(Vds)必須大于:
MOSFET的連續漏電流(Id)必須大于一次側峰值電流( ,公式15)。
除了最大額定電壓和最大額定電流,MOSFET的其他三個重要參數是Rds(on)、柵極閾值電壓和柵極電容。
開關MOSFET的損耗有三種類型,即導通損耗、開關損耗和柵極電荷損耗:
?導通損耗等于 損耗,因此在導通狀態下源極和漏極之間的總電阻 要盡可能的低。
? 開關損耗等于:開關時間*Vds*I*頻率。開關時間、上升時間和下降時間是MOSFET柵漏極米勒電荷Qgd、驅動器內部電阻和閾值電壓的函數,最小柵極電壓Vgs(th)有助于電流通過MOSFET的漏源極。
? 柵極電荷損耗是由柵極電容充電,以及隨后的每個周期對地放電引起的。柵極電荷損耗等于:頻率* Qg(tot)* Vdr
不幸的是,電阻最低的器件往往有較高的柵極電容。
開關損耗也會受柵極電容的影響。如果柵極驅動器對大容量電容充電,則MOSFET需要時間進行線性區提升,則損耗增加。上升時間越快,開關損耗越低。不幸的是,這將導致高頻噪聲。
導通損耗不取決于頻率,它還取決于 和一次側RMS電流 的平方:
 
在連續傳導模式下,反激式運行的一次側電流看起來像圖4上部所示的梯形波形。
 
 
 
 
 是當驅動電壓被拉升至驅動電壓時的導通時間驅動電阻
? 是當驅動電壓被下拉至地電壓時的內部驅動電阻
? 是柵源極閾值電壓(MOSFET開始導通的柵極電壓)
緩沖器:
漏感可以被看作是與變壓器的一次側電感串聯的寄生電感,其一次側電感的一部分沒有與二次側電感相互耦合。當開關MOSFET關閉時,存儲在一次側電感中的能量通過正向偏置二極管移動到二次側和負載。存儲在漏感中的能量沒有地方可去,則變成了開關引腳(MOSFET漏極)上巨大的電壓尖峰。漏感可以通過短路二次側繞組來進行測量,而一次側電感的測量通常由變壓器制造商給出。
耗散漏感能量的一種常用方法是通過一個與一次側繞組并聯的齊納二極管來阻斷與之串聯的二極管實現的,如圖5所示。
 
 
反激式設計資源:
為了支持反激式設計,美國國家半導體開發了特別適合反激式應用的一系列PWM穩壓器和控制器。在其公司網站(www.power.national.com)上就可以找到典型的反激式參考設計、應用注解、數學spreedsheet和在線仿真工具,可以引導設計人員很好的優化反激式電源設計。
圖6顯示了一個采用LM5000穩壓器的典型5W反激式電源,它是用WEBENCH? 仿真的,其輸入電壓變化范圍從10至35V,1A時的輸出電壓等于5V。該設計遵循上述過程,Coilcraft變壓器的一次側與二次側匝數比等于3,一次側電感為80μH,可確保良好的穩壓輸出電壓,最大限度地將一次側峰值電流降至1.3A以下,也使內部開關MOSFET兩端的最大電壓低于60V。
80μF的一次側電感保證了二次側紋波電流峰-峰值在平均電流的30%以內,同時保持20kHz以上的右半平面零點。
 
WEBENCH? 是美國國家半導體的網上設計工具,用四個簡單步驟即可完成實現一個完整的開關電源設計。圖7和圖8顯示了用WEBENCH設計獲得的波德圖和開關波形。

 
(圖7-8:輸出電壓和開關引腳的波特圖和開關波形)

 

產品搜索
聯系我們
免費熱線:400-889-8821
總機號碼:86-20-8420-6763
銷售號碼:86-18002228813
郵箱地址:sale@aipu-elec.com
網站地址:www.jxtyxj.com
公司地址:廣州市黃埔區埔南路63號四號樓302房
小柒直播ios-小柒直播app下载ios-小柒直播官方版